MRF8S26120HSR5 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаMRF8S26120HSR5
-
ПроизводительMotorola Semiconductor
-
ОписаниеMotorola Semiconductor MRF8S26120HSR5 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 2.62 GHz to 2.69 GHz Gain: 15.6 dB Output Power: 28 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 900 mA Gate-Source Breakdown Voltage: 10 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: NI-780S Mounting Style: SMD/SMT
-
Количество страниц15 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.05.2024
07.05.2024
06.05.2024